Réflectométrie optique
Analyse d’épaisseur de film et de structure

ApplicationsMétrologie par microscopie optique
Analyse de contamination de surface

Réflectométrie optique pour analyse d’uniformité d’épaisseur de film

L’outil de réflectométrie EFiT-TT peut rendre en 3D les caractéristiques de films. De l’épaisseur de film SiO2 sur Si jusqu’à la porosité de films complexes sur low-K materials, l’EFiT-TT de table fournit une analyse 3D dans le champ de vision du microscope. Films sur verre, PET, plaques en silicium et autres peuvent être analysés avec différents niveaux de zoom. Pour analyser les films poreux, le contrôle d’épaisseur de film peut mesurer la densité et l’épaisseur séparément si la couche ciblée est suffisamment épaisse. Grâce à la modélisation, la résolution d’épaisseur de film est de moins d’1 nm et la résolution de densité est inférieure à 1%.

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Analyse de structure complexe de films par réflectométrie optique

Concernant le suivi de motifs complexes, l’épaisseur de film de chaque couche et la profondeur de gravure peuvent être obtenues simultanément depuis le spectre de réflexion. C’est également applicable aux tranchées et aux structures MEMS. La modélisation peut aussi analyser des structures multicouches..

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Analyse de cristallinité polysilicium par réflectométrie optique

L’EFiT-TT est sensible à la cristallinité du silicium et peut analyser plusieurs couches Si dont des couches polysilicium . Afin d’améliorer la mobilité électronique, la recuisson est utilisée pour améliorer la cristallinité p-SI. La recuisson laser est notamment utile pour effectuer des traitements localisés en un temps record tout en ayant peu d’influence sur les autres zones.

Par ailleurs, il est important de mesurer l’effet local de la recuisson sur la cristallinité Si. Alors que c-Si et a-SI ont des cristallinités complétement différentes, leurs propriétés électriques et optiques diffèrent également. La modélisation p-Si permet de déterminer le mélange de a-Si et c-Si.

Evaluez la cristallinité de films p-Si avec cette structure. Les paramètres inconnus qui seront déterminés sont la cristallinité des films p-Si, et l’épaisseur de films SiO2 sur et en-dessous de p-Si.