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ECV Pro +

Analyse avancée de la capacité électrochimique en fonction de la tension

 

Le ECV Pro+ en instance de brevet est le résultat d'un redesign total qui redéfinit complètement le profilage ECV. Nous avons combiné 25 ans d'expérience en profilage ECV avec 25 ans de progrès dans la technologie de contrôle des instruments pour produire le profileur CV électrochimique le plus précis, le plus reproductible et le plus automatisé jamais créé. Le ECV Pro+ a été conçu, dès le départ, pour éliminer toutes les variations dépendantes de l'opérateur dans les données. Tout ce que l'opérateur doit faire, c'est placer le wafer sur la plateforme. Après la configuration initiale, le ECV Pro+ s'occupe du reste.

 

Applications

 

Le ECV Pro introduit la première caméra in-situ jamais réalisée, offrant des niveaux de contrôle sans précédent, ECVision™. Cela permet une imagerie en temps réel de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Vous pouvez désormais voir exactement ce qui se passe à la surface de l'échantillon pendant une mesure. Pour les III-Nitrures, l'option ECV Pro GaN améliore les performances du système pour un profilage optimal du GaN, de l'InGaN et de l'AlGaN.
Alternative à la sonde au mercure : La précision et la reproductibilité du ECV Pro offrent une alternative viable, sûre et respectueuse de l'environnement à la sonde au mercure. Le ECV Pro n'utilise pas d'électrode de référence au calomel et est entièrement exempt de mercure. La plateforme horizontale facilite le suivi de la distribution spatiale sur un wafer. En utilisant le mode de profilage par déplétion et la zone de contact ultra-réalisable, le ECV Pro peut mesurer avec précision les variations de dopage de surface sur un wafer.
Alternative au Hall : Le ECV Pro offre de nombreux avantages par rapport aux mesures de Hall. Cela inclut la mesure des dopants électriquement activés et des informations sur les couches structurelles individuelles. De plus, le ECV Pro peut être appliqué à une large gamme de matériaux et de structures et n'est pas limité au profilage uniquement sur du Si ou des structures PN appropriées.

 

Caractéristiques

 

Élimination de la variabilité de l'opérateur. Le temps de formation des opérateurs est réduit. La préparation des échantillons est simplifiée, et le logiciel intuitif guide l'opérateur à travers le processus de mesure étape par étape, réduisant ainsi la possibilité d'erreurs. Le fonctionnement basé sur des recettes signifie qu'aucune intervention de l'opérateur n'est nécessaire lors du profilage de structures complexes. Le design novateur prolonge la durée de vie de l'anneau d'étanchéité et élimine le coût des électrodes au calomel coûteuses. Les électrodes de signal et les ensembles de contact nécessitent un remplacement moins fréquent. Le design sur pied réduit l'emprise au sol d'environ un facteur deux par rapport à d'autres profileurs. Comme l'électrolyte et les déchets sont contenus dans l'appareil, il n'est pas nécessaire d'avoir un banc humide adjacent.

Toho HL9900

Mesure de l'effet Hall

 

Le HL9900 est un système clé en main haute performance pour la mesure de la résistivité, de la concentration des porteurs et de la mobilité dans les semi-conducteurs. Modulaire par conception, il permet des mises à niveau faciles et est adapté à une grande variété de matériaux, y compris le silicium et les semi-conducteurs composés. Le HL9900 dispose de capacités de mesure de résistivité basse et élevée. Grâce à une interface utilisateur intuitive, aucune expérience en programmation n'est requise pour configurer ou utiliser le HL9900.

 

Applications

 

À l'aide de la mesure de l'effet Hall, les propriétés suivantes peuvent être déterminées :

Résistivité/Conductivité
Mobilité Concentration des porteurs en volume/en surface
Type de dopage
Coefficient Hall
Magnétorésistance
Rapport vertical/horizontal de la résistance
 

Caractéristiques

 

À l'aide de la mesure de l'effet Hall, les propriétés suivantes peuvent être déterminées :

Mesures de Van der Pauw, Hall Bar et Bridge selon la norme ASTM F-76
Système de sonde simple pour un débit d'échantillons pratique et rapide
Conception compacte de tabletop
Large gamme de courant, y compris une fonction de courant automatique pour minimiser le chauffage de l'échantillon
Limitation de champ électrique définie par l'utilisateur pour éviter les effets d'ionisation par impact à basse température
?Amplificateur de tampon haute impédance/source de courant en option pour étendre les mesures de résistivité de surface jusqu'à 10¹¹ Ω/ carré