Analyse de contamination particulaire
Inspection de surface de wafers non patternés

ApplicationsMétrologie par microscopie optique
Analyse de contamination de surface


Inspection de surface de wafers non patternés pour le contrôle de process sur plaques SiC, GaN, Si ou verre

L’équipement de scan YGK peut détecter les particules à chaque process ou à chaque étape de nettoyage. La valeur ajoutée clé de cet outil réside dans sa capacité à détecter des particules présentes sur wafer durant les différentes étapes de la production comme décrit ci-dessous. Les particules peuvent être mesurées sur plaques SiC (Silicon Carbide), GaN (Gallium Nitride), Si (Silicium) :
  • Contrôle de processus : Peut compter le nombre de particules pendant le processus de production de vos plaques. Les résultats sont triés par taille. Une calibration est faite pour améliorer la précision et la quantité des particules détectées.
  • Contrôle d’entrée : Vérification du nombre de particules sur les wafers de vos fournisseurs
  • Nettoyage de wafers : Mesures du nombre et de la taille des particules après chaque étape du nettoyage
    Processus de polissage : Les plaques peuvent être analysées après avoir été polies
  • Test PWP pour les équipements de process : Le nombre de particules par wafer peut être contrôlé grâce au système d’analyse de contamination

Avec différents paramètres et capacités, l’équipement d’analyse de contamination peut gérer tous les types de wafers et fournir des résultats de grande qualité grâce son faible temps d’acquisition et sa sensibilité optimisée

 
 




 
 
Inspection de surface de wafer filmés SiC et Epi

Le système d’analyse de contamination de surface est compatible avec les plaques d’épitaxie. Par ailleurs, les surfaces de wafers filmés SiC peuvent elles aussi être contrôlées. L’analyse peut donc être menée sur tous les types et tailles de plaques. Le système est calibré pour que chaque situation ait le résultat le plus précis possible.

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